Dernière mise à jour le 26/03/2023
Présentation
Dans cette article nous allons voir comment modéliser un Mosfet en utilisant Proteus (ISIS), Pour cela je vais utiliser le MOSFET BS170 Canal-N afin de faire ressortir ses courbes de Vgs, Id, Vds. et je ferais de même pour le MOSFET IRF9230 Canal-P (vous remarquerez que les courbes sont à l’envers !) et nous comparerons ensuite ces valeurs avec le datasheet (ou doc technique) Le but est de savoir modéliser un composant avec la fonction de transfert pour pouvoir ressortir les courbes en zone ohmique et en saturation. La simulation sera parfaitement juste plutôt que d’utiliser les doc constructeur ou là des divergence peuvent être présente dans la simulation!
Modélisation du Mosfet BS170 – CANAL-N
Sur ce schéma je fais apparaître, deux sources de tensions nommées “Vds” et “Vgs” sonde de courant “Id”, et pour finir une sonde Vgs. Il s’agit de brancher (par simulation) en direct les 2 générateurs de tensions sur le composant et de relever le courant “Id” et la tens “Vgs”. Pour cela je vais maintenant utiliser le graph nommé “TRANSFERT” situé dans Isis. Au niveaux des tensions appliquées sur Vds et Vgs j’ai mis 1V pour les 2.
Selection de graph transfert
Modélisation
Maintenant il ne reste plus qu’à suivre les étapes ci-dessous en images (clique pour agrandir).
Remarques
Vous remarquerez que la courbe (si vous faites la simulation) la plus en bas commence à partir de 2,5V, il en résulte que le transistor BS170 devient passant à partir de cette tension. Si on regarde la doc technique du constructeur il indique “Gate Threshold voltage” tension de seuil comprise entre 0,8V (Min) et 3V(Max), par simulation la tension de seuil est de 2,5V pour être exact à cette tension Vgs le Mosfet commence à être passant !
Modélisation du Mosfet IRF9230 – CANAL-P
Sur ce schéma je fais apparaître, deux sources de tensions nommées “Vds” et “Vgs” sonde de courant “Id”, et pour finir une sonde Vgs. Il s’agit de brancher (par simulation) en direct les 2 générateurs de tensions sur le composant et de relever le courant “Id” et la tens “Vgs”. Pour cela je vais maintenant utiliser le graph nommé “TRANSFERT” situé dans Isis. Au niveaux des tensions appliquées sur Vds et Vgs j’ai mis 1V pour les 2.
Selection de graph transfert
Modélisation
Maintenant il ne reste plus qu’à suivre les étapes ci-dessous en images (clique pour agrandir).
Remarques
Vous remarquerez que la courbe (si vous faites la simulation) est cette fois-ci inversée !! ce qui est normal puisque il s’agit du MOSFET Canal-P par modélisation et que le courant “Id” ainsi que “Vgs”sont tous inférieur à 0. Si on prend la doc technique du constructeur, la tension de seuil Min est de -2V, en ce qui concerne la modélisation , pour le coup la courbe la plus en haut est de -0,2mV (je dis la plus en haut car en valeur absolue serais la plus petite valeur (Min)).
En ce qui concerne les calculs, vous pouvez très bien interpréter tous ces résultats en valeurs absolues. Le but était de modéliser (faire notre propre documentation technique) via ISIS afin d’avoir des résultats de simulation.
